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RJK0301DPB-02

30V, 60A, 2.8mΩ max. Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching

Features • High speed switching • Capable of 4.5V gate drive • Low drive current • High density mounting • Low on-resistance RDS(on) = 2.3 mΩ typ. (at VGS = 10 V) • Pb-free • Halogen-free

文件:135.91 Kbytes 页数:7 Pages

RENESAS

瑞萨

RJK0301DPB-02_15

30V, 60A, 2.8m廓 max. Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching

文件:136.62 Kbytes 页数:7 Pages

RENESAS

瑞萨

RJK0301DPB-02/J0

RENESAS/瑞
SOT-669

RENESAS/瑞

RJK0304DPB-00-J0

RENESAS/瑞萨
TO-252

RENESAS/瑞萨

RJK0332DPB-01

RENESAS
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更多RJK0301DPB-02供应商 更新时间2025-10-5 14:14:00