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RJK0223DNS-00-J5

Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode High Speed Power Switching

Features •Lowon-resistance •Capableof4.5Vgatedrive •Highdensitymounting •Pb-free •Halogen-free

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

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更多RJK0223DNS-00-J5供应商 更新时间2025-5-29 10:57:00