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RJK0222DNS-00-J5

Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode High Speed Power Switching

Features • Low on-resistance • Capable of 4.5 V gate drive • High density mounting • Pb-free • Halogen-free

文件:69.22 Kbytes 页数:5 Pages

RENESAS

瑞萨

RJK0301DPB-02/J0

SOT-669

RENESAS/瑞

RJK0304DPB-00-J0

TO-252

RENESAS/瑞萨

RJK0332DPB-01

LFPAK

RJK0651DPB-00#J5

SOT669

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更多RJK0222DNS-00-J5供应商 更新时间2025-11-30 11:00:00