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RJK0222DNS-00-J5

Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode High Speed Power Switching

Features •Lowon-resistance •Capableof4.5Vgatedrive •Highdensitymounting •Pb-free •Halogen-free

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RJK0301DPB-02/J0

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更多RJK0222DNS-00-J5供应商 更新时间2025-7-30 11:00:00