RJH60F0DPQ-A0#T0_分立半导体产品 晶体管-UGBT、MOSFET-单-瑞萨

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原厂料号:RJH60F0DPQ-A0#T0品牌:Renesas Electronics America Inc

资料说明:IGBT 600V 50A 201.6W TO-247A

RJH60F0DPQ-A0#T0是分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。制造商RENESAS/瑞萨生产封装TO-247-3的RJH60F0DPQ-A0#T0晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

  • 芯片型号:

    rjh60f0dpq-a0%23t0

  • 规格书:

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  • 企业简称:

    RENESAS【瑞萨】详情

  • 厂商全称:

    Renesas Electronics America

  • 中文名称:

    瑞萨科技有限公司

  • 资料说明:

    IGBT 600V 50A 201.6W TO-247A

产品属性

  • 类型

    描述

  • 产品编号:

    RJH60F0DPQ-A0#T0

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    沟道

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    1.82V @ 15V,25A

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    46ns/70ns

  • 测试条件:

    400V,30A,5 欧姆,15V

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    TO-247A

  • 描述:

    IGBT 600V 50A 201.6W TO-247A

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