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RJH60D7BDPQ-E0#T2 分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 RENESAS/瑞萨
- 详细信息
- 规格书下载
产品参考属性
- 类型
描述
- 产品编号:
RJH60D7BDPQ-E0#T2
- 制造商:
Renesas Electronics America Inc
- 类别:
- 包装:
管件
- IGBT 类型:
沟道
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2.2V @ 15V,50A
- 开关能量:
700µJ(开),1.4mJ(关)
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
60ns/180ns
- 测试条件:
300V,50A,5 欧姆,15V
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-247-3
- 供应商器件封装:
TO-247
- 描述:
IGBT 600V 90A 300W TO-247
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