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RJ1P12BBD

丝印:RJ1P12BBD;Package:TO-263AB;Nch 100V 120A Power MOSFET

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ROHM

罗姆

RJ1P12BBD

丝印:RJ1P12BBD;Package:TO-263AB;Nch 100V 120A Power MOSFET

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ROHM

罗姆

RJ1P12BBD

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 120A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 5.8mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control

文件:326.56 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

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更多RJ1P12BBD供应商 更新时间2025-12-21 12:00:00