RJ1L12BGN中文资料Nch 60V 120A Power MOSFET数据手册ROHM规格书
RJ1L12BGN规格书详情
描述 Description
RJ1L12BGN is low on-resistance and small surface mount package MOSFET for switching application.
特性 Features
• Low on - resistance
• High power small mold package
• Pb-free lead plating ; RoHS compliant
• UIS tested
• Halogen free
技术参数
- 制造商编号
：RJ1L12BGN
- 生产厂家
：ROHM
- Status
：推荐品
- 封装
：TO-263AB (LPTL)
- 包装数量
：1000
- 最小独立包装数量
：1000
- 包装形态
：Taping
- RoHS
：Yes
- Grade
：Standard
- Package Code
：TO-263AB
- Package Size[mm]
：10.1x15.1 (t=4.7)
- Number of terminal
：3
- Polarity
：Nch
- Drain-Source Voltage VDSS[V]
：60
- Drain Current ID[A]
：120.0
- RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)
：0.0027
- RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)
：0.0021
- RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)
：0.0027
- Total gate charge Qg[nC]
：94.0
- Power Dissipation (PD)[W]
：192.0
- Drive Voltage[V]
：4.5
- Mounting Style
：Surface mount
- Bare Die Part Number
：Available: K4828
- Storage Temperature (Min.)[°C]
：-55
- Storage Temperature (Max.)[°C]
：150
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
CARLO GAVAZZI |
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