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RI25N1200TP中文资料MOSFET数据手册Rectron规格书
技术参数
- 制造商编号
：RI25N1200TP
- 生产厂家
：Rectron
- Id @ 25C (A) :
：25 A
- Total Gate Charge (nQ) typ :
：177 nQ
- Maximum Power Dissipation (W) :
：312 W
- Input Capacitance (Ciss) :
：3430 pF
- Polarity :
：N-Channel
- Mounting Style :
：Through Hole
- Package / Case :
：TO-3P
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
COMUS |
24+ |
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25+ |
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23+ |
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