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RGTH60TS65DGC13

Package:TO-247-3;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:HIGH-SPEED SWITCHING TYPE, 650V

Rohm Semiconductor

Rohm Semiconductor

RGE60TS65DGC13

650V 30A Field Stop Trench IGBT

Features 1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage 2) Low Switching Loss 3) Short Circuit Withstand Time 5μs 4) Built in Very Fast & Soft Recovery FRD 5) Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant Application UPS General Inverter Power Conditioner Welder

文件:1.56785 Mbytes 页数:14 Pages

ROHM

罗姆

产品属性

  • 产品编号:

    RGTH60TS65DGC13

  • 制造商:

    Rohm Semiconductor

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • IGBT 类型:

    沟槽型场截止

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.1V @ 15V,30A

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    27ns/105ns

  • 测试条件:

    400V,30A,10 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    TO-247

  • 描述:

    HIGH-SPEED SWITCHING TYPE, 650V

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更多RGTH60TS65DGC13供应商 更新时间2025-10-14 8:14:00