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RGS00TS65HR分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

RGS00TS65HR
厂商型号

RGS00TS65HR

参数属性

RGS00TS65HR 封装/外壳为TO-247-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT.

功能描述

650V 50A Field Stop Trench IGBT

丝印标识

RGS00TS65

封装外壳

TO-247N / TO-247-3

文件大小

352.54 Kbytes

页面数量

10

生产厂商

ROHM

中文名称

罗姆

网址

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数据手册

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更新时间

2025-8-9 11:10:00

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RGS00TS65HR规格书详情

特性 Features

1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage

2) Short Circuit Withstand Time 8μs

3) Qualified to AEC-Q101

4) Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant

Application

Heater for Automotive

产品属性

  • 产品编号:

    RGS00TS65HRC11

  • 制造商:

    Rohm Semiconductor

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • IGBT 类型:

    沟槽型场截止

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.1V @ 15V,50A

  • 开关能量:

    1.46mJ(开),1.29mJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    36ns/115ns

  • 测试条件:

    400V,50A,10 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    TO-247N

  • 描述:

    650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT.

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