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RGS00TS65HR分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

厂商型号 |
RGS00TS65HR |
参数属性 | RGS00TS65HR 封装/外壳为TO-247-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT. |
功能描述 | 650V 50A Field Stop Trench IGBT |
丝印标识 | |
封装外壳 | TO-247N / TO-247-3 |
文件大小 |
352.54 Kbytes |
页面数量 |
10 页 |
生产厂商 | ROHM |
中文名称 | 罗姆 |
网址 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-9 11:10:00 |
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RGS00TS65HR规格书详情
特性 Features
1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage
2) Short Circuit Withstand Time 8μs
3) Qualified to AEC-Q101
4) Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant
Application
Heater for Automotive
产品属性
- 产品编号:
RGS00TS65HRC11
- 制造商:
Rohm Semiconductor
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装:
管件
- IGBT 类型:
沟槽型场截止
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2.1V @ 15V,50A
- 开关能量:
1.46mJ(开),1.29mJ(关)
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
36ns/115ns
- 测试条件:
400V,50A,10 欧姆,15V
- 工作温度:
-40°C ~ 175°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-247-3
- 供应商器件封装:
TO-247N
- 描述:
650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT.
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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