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RGPR10BM40FHTL	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT	ROHM 罗姆	ROHM
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RGPZ10BM40FH	文件：1.18097 Mbytes Page：10 Pages	430V 20A Ignition IGBT 文件：1.18097 Mbytes 页数：10 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RBR10BM40A	文件：722.36 Kbytes Page：9 Pages	Schottky Barrier Diode 文件：722.36 Kbytes 页数：9 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RBR10BM40A	文件：322.46 Kbytes Page：2 Pages	Schottky Barrier Rectifier FEATURES ·Guard -Ring for Stress Protection ·Low Forward Voltage ·High Operating Junction Temperature ·Low Power Loss/High Efficiency ·High surge capability ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation MECHANICAL CHARACTERISTICS ·Case: Epoxy, Molded 文件：322.46 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
RGPR10BM40FH	文件：1.1808 Mbytes Page：10 Pages	430V 20A Ignition IGBT 文件：1.1808 Mbytes 页数：10 Pages	ROHM 罗姆	ROHM

产品属性

产品编号：
RGPR10BM40FHTL
制造商：
Rohm Semiconductor
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
系列：
Automotive, AEC-Q101
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.0V @ 5V，10A
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
500ns/4µs
测试条件：
300V，8A，100 欧姆，5V
工作温度：
-40°C ~ 75°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装：
TO-252
描述：
IGBT

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