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RGP02-12E中文资料PDF规格书

RGP02-12E
厂商型号

RGP02-12E

参数属性

RGP02-12E 封装/外壳为DO-204AL,DO-41,轴向;包装为卷带(TR)剪切带(CT);类别为分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单;产品描述:DIODE GEN PURP 1.2KV 500MA DO204

功能描述

FAST RECOVERY RECTIFIER

文件大小

47.24 Kbytes

页面数量

2

生产厂商 Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited
企业简称

BILIN世纪微电子

中文名称

常州银河世纪微电子股份有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-21 20:00:00

RGP02-12E规格书详情

VOLTAGE RANGE: 1200 --- 2000 V

CURRENT: 0.5 A

FEATURES

◇ Low cost

◇ Diffused junction

◇ Low leakage

◇ Low forward voltage drop

◇ High current capability

◇ The plastic material carries U/L recognition 94V-0

◇ Easily cleaned with Freon,Alcohol,Isopropanol and similar solvents

产品属性

  • 产品编号:

    RGP02-12E-E3/54

  • 制造商:

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 系列:

    SUPERECTIFIER®

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)

  • 二极管类型:

    标准

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    500mA

  • 速度:

    快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    DO-204AL,DO-41,轴向

  • 供应商器件封装:

    DO-204AL(DO-41)

  • 工作温度 - 结:

    -65°C ~ 175°C

  • 描述:

    DIODE GEN PURP 1.2KV 500MA DO204

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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