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RGE80TS65DG中文资料5μs Short-Circuit Tolerance, 650V 40A, FRD Built-in, TO-247GE, Field Stop Trench IGBT数据手册ROHM规格书

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厂商型号

RGE80TS65DG

功能描述

5μs Short-Circuit Tolerance, 650V 40A, FRD Built-in, TO-247GE, Field Stop Trench IGBT

制造商

ROHM Rohm

中文名称

罗姆 罗姆半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-9-28 8:31:00

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RGE80TS65DG规格书详情

描述 Description

RGE80TS65DG is IGBT featuring low switching loss and low conduction loss. It is ideal for Power Conditioner and Welder and General Inverter and UPS

特性 Features

• Low Collector - Emitter Saturation Voltage
• Low Switching Loss
• Short Circuit Withstand Time 5μs
• Built in Very Fast & Soft Recovery FRD
• Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant

技术参数

  • 制造商编号

    :RGE80TS65DG

  • 生产厂家

    :ROHM

  • 封装

    :TO-247GE

  • 包装形态

    :Tube

  • 包装数量

    :600

  • 最小独立包装数量

    :30

  • RoHS

    :Yes

  • Series

    :E: For inverter (tsc 5µs)

  • VCES [V]

    :650

  • IC(100°C)[A]

    :40

  • VCE(sat) (Typ.) [V]

    :1.65

  • tf(Typ.) [ns]

    :77

  • tsc(Min.) [us]

    :5

  • Built-in Diode

    :FRD

  • Pd [W]

    :200

  • BVCES (Min.)[V]

    :650

  • Storage Temperature (Min.)[°C]

    :-55

  • Storage Temperature (Max.)[°C]

    :175

  • Package Size [mm]

    :15.94x20.95 (t=5.02)

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