Power MOS Field-Effect Transistors

N-Channel Enhancement-Mode Power Field-Effect Transistors The RFH45N05 and RFH45N06 are n-channel enhancement-mode silicon-gate power field-effect transistors designed for applications such as switching regulators, switching converters, motor drivers, relay drivers, and drivers for high-power bip

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NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

发射应答器

TI

德州仪器

上传：深圳市诺美思科技有限公司

应答器

TI

德州仪器

上传：深圳市诺美思科技有限公司

MODULE

ANAREN

上传：深圳市旺财半导体有限公司

原厂原封

QORVO

威讯联合

上传：深圳科宇泰科技有限公司