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SMZJ3809B	文件：104.32 Kbytes Page：4 Pages	SurfaceMountPowerVoltage-RegulatingDiodes FEATURES •Lowprofilepackage •Idealforautomatedplacement •Glasspassivatedchipjunction •LowZenerimpedance •Lowregulationfactor •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeak of260°C •AEC-Q101qualifiedavailable -Automotiveorderingcode:baseP/NHE3orP/NHM3 •M	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
SMZJ3809B	文件：515.539 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
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SMZJ3809B	文件：522.313 Kbytes Page：2 Pages	1.5W68VZenerdiode	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳市福田区吉富昌电子商行	SUNMATE
SMZJ3809B	文件：1.178857 Mbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳市福田区吉富昌电子商行	SUNMATE
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SMZJ3809B	文件：47.29 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTZENERDIODE ZenerVoltage-10to68VoltsSteadyStatePower-1.5Watts FEATURES ♦PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 ♦Forsurfacemountapplications ♦Glasspassivatedchipjunction ♦LowZenerimpedance ♦Lowregulationfactor ♦Hightemperaturesoldering	GE GE Industrial Company	GE
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详细参数

型号：
RF3809
制造商：
RFMD
制造商全称：
RF Micro Devices
功能描述：
GaAs HBT PRE-DRIVER AMPLIFIER

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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