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REF6033IDGKR	文件：2.35155 Mbytes Page：37 Pages	High-Precision Voltage Reference With Integrated ADC Drive Buffer	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
REF6033IDGKR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：集成电路（IC）电压基准描述：IC VREF SERIES 0.05% 8VSSOP	TI2Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI2
REF6033IDGKT	文件：2.35155 Mbytes Page：37 Pages	High-PrecisionVoltageReferenceWithIntegratedADCDriveBuffer	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
SFT6033	文件：34.05 Kbytes Page：2 Pages	50AMPS90-120VoltsHighPowerNPNTransistors Features: •HighFrequencytransistorwithBVCEOto120Volts •EnhancedSOAcapabilityandFastSwitching •HighPowerDissipation140Watts •200oCOperatingTemperature •TX,TXV,S-LevelScreeningAvailable.ConsultFactory	SSDI Solid States Devices, Inc	SSDI
SG-BGA-6033	文件：76.25 Kbytes Page：3 Pages	Ballguidepreventsovercompressionofelastomer	IRONWOOD Ironwood Electronics.	IRONWOOD
SM6033NAF	文件：974.08 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
SM6033NSF	文件：252.3 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	SINOPWERSinopower Semiconductor Inc 大中集成电路大中集成电路股份有限公司	SINOPWER
SM6033NSFC-TUG	文件：252.3 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	SINOPWERSinopower Semiconductor Inc 大中集成电路大中集成电路股份有限公司	SINOPWER
SM6033NSG	文件：252.35 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	SINOPWERSinopower Semiconductor Inc 大中集成电路大中集成电路股份有限公司	SINOPWER
SM6033NSGC-TRG	文件：252.35 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	SINOPWERSinopower Semiconductor Inc 大中集成电路大中集成电路股份有限公司	SINOPWER

产品属性

产品编号：
REF6033IDGKR
制造商：
Texas Instruments
类别：
集成电路（IC） > 电压基准
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
参考类型：
系列
输出类型：
固定
电压 - 输出（最小值/固定）：
3.3V
容差：
±0.05%
温度系数：
5ppm/°C
噪声 - 0.1Hz 至 10Hz：
3µVp-p
电压 - 输入：
3.55V ~ 5.5V
电流 - 供电：
1.1mA
工作温度：
-40°C ~ 125°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）
供应商器件封装：
8-VSSOP
描述：
IC VREF SERIES 0.05% 8VSSOP

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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