RE1E002SP中文资料4V Drive Pch MOSFET数据手册ROHM规格书
RE1E002SP规格书详情
描述 Description
电界効果晶体管的MOSFET。提供通过采用细微流程的「针对通信产品的超低阻值的设备」而产生的节能的功率MOSFET，并且结合用途，以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。
特性 Features
•4V驱动型 Pch 小信号MOSFET
技术参数
- 制造商编号
：RE1E002SP
- 生产厂家
：ROHM
- 封装
：EMT3F
- 包装数量
：3000
- 最小独立包装数量
：3000
- 包装形态
：Taping
- RoHS
：Yes
- Package Code
：SOT-416FL
- JEITA Package
：SC-89
- Number of terminal
：3
- Polarity
：Pch
- Drain-Source Voltage VDSS[V]
：-30
- Drain Current ID[A]
：-0.25
- RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.)
：1.6
- RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)
：1.4
- RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)
：0.9
- RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)
：1.6
- Power Dissipation (PD)[W]
：0.15
- Drive Voltage[V]
：-4
- Mounting Style
：Surface mount
- Storage Temperature (Min.)[°C]
：-55
- Storage Temperature (Max.)[°C]
：150
- Package Size [mm]
：1.6x1.6 (t=0.85)
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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