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RDN100N20FU6

ROHM/罗姆SMD

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RDN100

罗姆TO-220

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深圳市亚泰盈科电子有限公司

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RDN100

罗姆TO-220

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惠州市朝青芯薇电子科技有限公司

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RDN100N20YF54

ROHMTO-220/3

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RDN100N20YF54

ROHM/罗姆TO220

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只做原装正品现货或订货假一赔十!

深圳博中泰实业有限公司

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RDN100N20YF54

ROHM/罗姆TO-2203

15000

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本公司 只做全新原装正品

深圳市川科科技有限公司

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RDN100N20FU6

ROHM-罗姆TO-220-3

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RDN100N20

ROHM-罗姆TO-220-3

78800

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RDN100N20L02

ROHM-罗姆TO-220-3

78800

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深圳市中联芯电子有限公司

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RDN100N20L02

ROHM/罗姆TO-220F

12000

25+

原装正品真实现货杜绝虚假

深圳市百诺芯科技有限公司

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RDN100N20TO-220FN

ROHM/罗姆NA

12730

23+

原装正品代理渠道价格优势

深圳市一线半导体有限公司

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RDN100N20

5000

24+

公司存货

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RDN100N20L2

ROHMTO-220

1500

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RDN100N20

ROHMTO-220F

80000

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只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增

艾睿（深圳）半导体有限公司

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RDN100N20

ROHM/罗姆TO-220

100500

2447

一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货

万三科技(深圳)有限公司

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RDN100N20

Rohm(罗姆)封装

500000

25+
1+
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源自原厂成本,高价回收工厂呆滞

深圳市凌旭科技有限公司

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RDN100N20YF54

ROHM/罗姆TO220

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只做原装正品,不止网上数量,欢迎电话微信查询!

深圳市能元时代电子有限公司

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RDN100N20L02

ROHMTO-220F

12800

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##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术

深圳市威雅利发展有限公司

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RDN100N20YF54

ROHMTO-220/3

7000

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一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力

深圳市河锋鑫科技有限公司

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RDN100N20资讯

RDN100N20

RDN100N20主要参数： FET - 单 FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能： 标准 漏源极电压（Vdss）： 200V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 10A（Ta） 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 360 毫欧 @ 5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 30nC @

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RDN100N20功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

RDN100N20FU6功能描述:MOSFET TRANS MOSFET NCH 200V 10A 3PIN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

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