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RDN050N20	文件：50.67 Kbytes Page：4 Pages	Switching (200V, 5A) 文件：50.67 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
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RCD050N20	文件：1.17038 Mbytes Page：7 Pages	10V Drive Nch MOSFET Features 1) Low on-resistance. 2) High-speed switching. 3) Wide range of SOA. 4) Drive circuits can be simple. 5) Parallel use is easy. Application Switching 文件：1.17038 Mbytes 页数：7 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RDD050N20	文件：162.13 Kbytes Page：6 Pages	10V Drive Nch MOSFET 文件：162.13 Kbytes 页数：6 Pages	ROHM 罗姆	ROHM

详细参数

型号：
RDN050N20
功能描述：
MOSFET N-CH 200V 5A TO-220FN
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	RDN050N20	RohmSemiconductor	24+	TO-220FM-3	370		询价
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更多RDN050N20供应商更新时间2026-4-18 15:41:00

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