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RDD020N60TL	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET N-CH 600V 2A CPT3	ROHM 罗姆	ROHM
ZDS020N60	文件：1.15785 Mbytes Page：6 Pages	10V Drive Nch MOSFET 文件：1.15785 Mbytes 页数：6 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
ZDS020N60TB	文件：562.6 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET FEATURES • Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive Requirement • Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness • Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current • Compliant to RoHS directive 2002/95/EC 文件：562.6 Kbytes 页数：10 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
NCEAP020N60GU	文件：971.87 Kbytes Page：6 Pages	NCE Automotive N-Channel Super Trench II Power MOSFET Description The NCEAP020N60GU uses Super Trench II technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for 文件：971.87 Kbytes 页数：6 Pages	NCEPOWER 新洁能	NCEPOWER
RDD020N60	文件：1.0762 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET 文件：1.0762 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
RDD020N60	文件：540.63 Kbytes Page：7 Pages	10V Drive Nch MOSFET 文件：540.63 Kbytes 页数：7 Pages	ROHM 罗姆	ROHM

详细参数

型号：
RDD020N60TL
功能描述：
MOSFET N-CH 600V 2A CPT3
RoHS：
是
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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