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RD6.8MW	文件：65.69 Kbytes Page：8 Pages	ZENERDIODES200mW3-PINMINIMOLD TypeRD2.0MWtoRD39MWSeriesare3-PINMiniMoldPackagezenerdiodespossessingallowablepowerdissipationof200mW.	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
RD6.8P	文件：258.329 Kbytes Page：6 Pages	1WPOWERMINIMOLDZENERDIODE SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
RD6.8P	文件：257.149 Kbytes Page：1 Pages	1WPOWERMINIMOLDZENERDIODE	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
RD6.8S	文件：54.8 Kbytes Page：12 Pages	ZENERDIODES200mW2PINSSUPERMINIMOLD DESCRIPTION TypeRD2.0StoRD120SSeriesare2PINSuperMiniMoldPackagezenerdiodespossessinganallowablepowerdissipationof200mW. FEATURES •SharpBreakdowncharacteristic. •Vz:AppliedE24standard. APPLICATIONS CircuitforConstantVoltage,ConstantCurrent,W	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
RD6.8SL	文件：84 Kbytes Page：7 Pages	ZENERDIODES DESCRIPTION TypeRD4.7SLtoRD39SLSeriesare2PINSuperMiniMoldPackagezenerdiodespossessinganallowablepowerdissipationof200mWfeaturinglownoiseandsharpbreakdowncharacteristic.Theyareintendedforuseinaudioequipment,instrumentequipment. FEATURES •LowNoise	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
RD6.8UJ	文件：41.95 Kbytes Page：8 Pages	LOWNOISESHARPBREAKDOWNCHARACTERISTICSZENERDIODES2PINULTRASUPERMINIMOLD SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
RD6.8UM	文件：63.51 Kbytes Page：8 Pages	ZENERDIODES2PINULTRASUPERMINIMOLD SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
RKZ6.8AKU	文件：110.53 Kbytes Page：7 Pages	SiliconPlanarZenerDiodeforStabilizedPowerSupply Features •Smalloutlineyethigh-powerpermitting500mWpowerdissipation. •Halogenfree,EnvironmentalfriendlyPackageincludesConformitytoRoHSDirective. •ThinUltrasmallResinPackage(TURP-FM)issuitableforhighdensitysurfacemountingandhighspeedassembly.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RKZ6.8BKP	文件：83.16 Kbytes Page：5 Pages	SiliconPlanarZenerDiodeforSurgeAbsorption Features •HighESD-Capability30kV,humanbodymodel(IEC61000-4-2). •Widezenervoltagerangefrom6.2Vthrough8.2V. •Halogenfree,EnvironmentalfriendlyPackageincludeConformitytoRoHSDirective. •UltrasmallPackage(0.6mm×0.3mmSizeleadlesstype).	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RKZ6.8BKU	文件：110.53 Kbytes Page：7 Pages	SiliconPlanarZenerDiodeforStabilizedPowerSupply Features •Smalloutlineyethigh-powerpermitting500mWpowerdissipation. •Halogenfree,EnvironmentalfriendlyPackageincludesConformitytoRoHSDirective. •ThinUltrasmallResinPackage(TURP-FM)issuitableforhighdensitysurfacemountingandhighspeedassembly.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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详细参数

型号：
RD6.8FM
制造商：
EIC
制造商全称：
EIC discrete Semiconductors
功能描述：
ZENER DIODES

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多RD6.8FM供应商更新时间2025-6-26 16:00:00

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