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RD6.2M	文件：67.45 Kbytes Page：8 Pages	ZENERDIODES200mW3-PINMINIMOLD SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
RD6.2M	文件：69.61 Kbytes Page：8 Pages	ZENERDIODES200mW3-PINMINIMOLD SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
RD6.2MW	文件：65.69 Kbytes Page：8 Pages	ZENERDIODES200mW3-PINMINIMOLD TypeRD2.0MWtoRD39MWSeriesare3-PINMiniMoldPackagezenerdiodespossessingallowablepowerdissipationof200mW.	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
RD6.2P	文件：258.329 Kbytes Page：6 Pages	1WPOWERMINIMOLDZENERDIODE SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
RD6.2P	文件：257.149 Kbytes Page：1 Pages	1WPOWERMINIMOLDZENERDIODE	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
RD6.2S	文件：54.8 Kbytes Page：12 Pages	ZENERDIODES200mW2PINSSUPERMINIMOLD DESCRIPTION TypeRD2.0StoRD120SSeriesare2PINSuperMiniMoldPackagezenerdiodespossessinganallowablepowerdissipationof200mW. FEATURES •SharpBreakdowncharacteristic. •Vz:AppliedE24standard. APPLICATIONS CircuitforConstantVoltage,ConstantCurrent,W	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
RD6.2SL	文件：84 Kbytes Page：7 Pages	ZENERDIODES DESCRIPTION TypeRD4.7SLtoRD39SLSeriesare2PINSuperMiniMoldPackagezenerdiodespossessinganallowablepowerdissipationof200mWfeaturinglownoiseandsharpbreakdowncharacteristic.Theyareintendedforuseinaudioequipment,instrumentequipment. FEATURES •LowNoise	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
RD6.2UJ	文件：41.95 Kbytes Page：8 Pages	LOWNOISESHARPBREAKDOWNCHARACTERISTICSZENERDIODES2PINULTRASUPERMINIMOLD SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
RD6.2UM	文件：63.51 Kbytes Page：8 Pages	ZENERDIODES2PINULTRASUPERMINIMOLD SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
RD6.2Z	文件：33.14 Kbytes Page：4 Pages	ZENERDIODE200mWESDPROTECTION(5VSignalLine)MINIMOLD	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC

详细参数

型号：
RD6.2JS-AZ
制造商：
Renesas Electronics
功能描述：
6.195V Bulk

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多RD6.2JS-AZ供应商更新时间2025-7-25 8:14:00

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