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RD4.7SL	文件：84 Kbytes Page：7 Pages	ZENERDIODES DESCRIPTION TypeRD4.7SLtoRD39SLSeriesare2PINSuperMiniMoldPackagezenerdiodespossessinganallowablepowerdissipationof200mWfeaturinglownoiseandsharpbreakdowncharacteristic.Theyareintendedforuseinaudioequipment,instrumentequipment. FEATURES •LowNoise	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
RD4.7UJ	文件：41.95 Kbytes Page：8 Pages	LOWNOISESHARPBREAKDOWNCHARACTERISTICSZENERDIODES2PINULTRASUPERMINIMOLD SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
RD4.7UM	文件：63.51 Kbytes Page：8 Pages	ZENERDIODES2PINULTRASUPERMINIMOLD SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
RKZ4.7AKU	文件：110.53 Kbytes Page：7 Pages	SiliconPlanarZenerDiodeforStabilizedPowerSupply Features •Smalloutlineyethigh-powerpermitting500mWpowerdissipation. •Halogenfree,EnvironmentalfriendlyPackageincludesConformitytoRoHSDirective. •ThinUltrasmallResinPackage(TURP-FM)issuitableforhighdensitysurfacemountingandhighspeedassembly.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RKZ4.7BKU	文件：110.53 Kbytes Page：7 Pages	SiliconPlanarZenerDiodeforStabilizedPowerSupply Features •Smalloutlineyethigh-powerpermitting500mWpowerdissipation. •Halogenfree,EnvironmentalfriendlyPackageincludesConformitytoRoHSDirective. •ThinUltrasmallResinPackage(TURP-FM)issuitableforhighdensitysurfacemountingandhighspeedassembly.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RKZ4.7BKV	文件：216.33 Kbytes Page：8 Pages	SiliconPlanarZenerDiodeforConstantvoltageregulator Features •Thesediodesaredeliveredtaped. •SmallResinPackageFlatleadtype(SRP-F)issuitableforcompactandhigh-densitysurfacemountdesign.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RKZ4.7BKV	文件：210.07 Kbytes Page：8 Pages	SiliconPlanarZenerDiodeforConstantvoltageregulator Features •Thesediodesaredeliveredtaped. •SmallResinPackageFlatleadtype(SRP-F)issuitableforcompactandhigh-densitysurfacemountdesign.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RKZ4.7CKU	文件：110.53 Kbytes Page：7 Pages	SiliconPlanarZenerDiodeforStabilizedPowerSupply Features •Smalloutlineyethigh-powerpermitting500mWpowerdissipation. •Halogenfree,EnvironmentalfriendlyPackageincludesConformitytoRoHSDirective. •ThinUltrasmallResinPackage(TURP-FM)issuitableforhighdensitysurfacemountingandhighspeedassembly.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RLZ4.7	文件：219.34 Kbytes Page：4 Pages	500MWZENERLEADLESSDIODE	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
RLZ4.7	文件：820.45 Kbytes Page：4 Pages	Designedformountingonsmallsurfaceareas(LLDS(LL-34))	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM

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详细参数

型号：
RD4.7JSAB
制造商：
EIC
制造商全称：
EIC discrete Semiconductors
功能描述：
SILICON ZENER DIODES

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多RD4.7JSAB供应商更新时间2025-6-23 11:28:00

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