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RD4.7JS	文件：66.54 Kbytes Page：3 Pages	SILICONZENERDIODES	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
RD4.7JSAB	文件：39.2 Kbytes Page：3 Pages	SILICONZENERDIODES	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
RD4.7M	文件：67.45 Kbytes Page：8 Pages	ZENERDIODES200mW3-PINMINIMOLD SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
RD4.7M	文件：69.61 Kbytes Page：8 Pages	ZENERDIODES200mW3-PINMINIMOLD SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
RD4.7MW	文件：65.69 Kbytes Page：8 Pages	ZENERDIODES200mW3-PINMINIMOLD TypeRD2.0MWtoRD39MWSeriesare3-PINMiniMoldPackagezenerdiodespossessingallowablepowerdissipationof200mW.	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
RD4.7P	文件：258.329 Kbytes Page：6 Pages	1WPOWERMINIMOLDZENERDIODE SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
RD4.7P	文件：257.149 Kbytes Page：1 Pages	1WPOWERMINIMOLDZENERDIODE	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
RD4.7S	文件：54.8 Kbytes Page：12 Pages	ZENERDIODES200mW2PINSSUPERMINIMOLD DESCRIPTION TypeRD2.0StoRD120SSeriesare2PINSuperMiniMoldPackagezenerdiodespossessinganallowablepowerdissipationof200mW. FEATURES •SharpBreakdowncharacteristic. •Vz:AppliedE24standard. APPLICATIONS CircuitforConstantVoltage,ConstantCurrent,W	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
RD4.7SL	文件：84 Kbytes Page：7 Pages	ZENERDIODES DESCRIPTION TypeRD4.7SLtoRD39SLSeriesare2PINSuperMiniMoldPackagezenerdiodespossessinganallowablepowerdissipationof200mWfeaturinglownoiseandsharpbreakdowncharacteristic.Theyareintendedforuseinaudioequipment,instrumentequipment. FEATURES •LowNoise	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
RD4.7UJ	文件：41.95 Kbytes Page：8 Pages	LOWNOISESHARPBREAKDOWNCHARACTERISTICSZENERDIODES2PINULTRASUPERMINIMOLD SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC

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详细参数

型号：
RD4.7ES
制造商：
Renesas Electronics
功能描述：
4.56V Bulk

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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艾睿国际（香港）有限公司	RD4.7ES-T1AB2	NEC	2447	DO-34	100500	一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货	询价
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