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RD12MVS1中文资料High Frequency Devices-Silicon RF Devices RF High Power MOS FETs (Discrete) RD12MVS1数据手册MITSUBISHI规格书

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厂商型号

RD12MVS1

功能描述

High Frequency Devices-Silicon RF Devices RF High Power MOS FETs (Discrete) RD12MVS1

制造商

MITSUBISHI Mitsubishi Electric Semiconductor

中文名称

三菱电机 三菱电机株式会社

数据手册

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更新时间

2025-9-26 18:50:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :RD12MVS1

  • 生产厂家

    :MITSUBISHI

  • Drain Voltage Typ

    :7.2V

  • Freqency

    :175MHz

  • Output Power (Min)

    :11.5W

  • Package

    :SLP

  • Input Power (Typ)

    :1W

  • Drain Efficiency (Min)

    :55%

  • Feature

    :built in Gate Protection Diode

  • RoHS Directive

    :2011/65/EU RoHS2 Compliant

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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