首页 >RD00HHS1高频器件>规格书列表
| 零件编号 | 下载 订购 | 功能描述/丝印 | 制造商 上传企业 | LOGO |
|---|---|---|---|---|
RoHSCompliance,SiliconMOSFETPowerTransistor30MHz,0.3W | MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor 三菱电机三菱电机株式会社 | Mitsubishi | ||
RoHSCompliance,SiliconMOSFETPowerTransistor30MHz,0.3W | MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor 三菱电机三菱电机株式会社 | Mitsubishi | ||
RoHSCompliance,SiliconMOSFETPowerTransistor30MHz,0.3W DESCRIPTION RD00HHS1isaMOSFETtypetransistorspecificallydesignedforHFRFamplifiersapplications. FEATURES Highpowergain Pout>0.3W,Gp>19dB@Vdd=12.5V,f=30MHz APPLICATION ForoutputstageofhighpoweramplifiersinHFBandmobileradiosets. | MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor 三菱电机三菱电机株式会社 | Mitsubishi |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|
更多RD00HHS1高频器件供应商
更新时间
