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RCX510N25	文件：318.29 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 51A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 250V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 65mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：318.29 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
RCX510N25	文件：140.39 Kbytes Page：4 Pages	SILICON N-CHANNEL MOS FET 文件：140.39 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RCX510N25	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET N-CH 250V 51A TO-220FM	ROHM 罗姆	ROHM
RCX510N25	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3 整包；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单个描述：MOSFET N-CH 250V 51A TO-220FM	ROHM 罗姆	ROHM

产品属性

产品编号：
RCX510N25
制造商：
Rohm Semiconductor
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
包装：
卷带（TR）
FET 类型：
N 通道
技术：
MOSFET（金属氧化物）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
51A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
10V
Vgs（最大值）：
±30V
功率耗散（最大值）：
40W（Tc）
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
供应商器件封装：
TO-220FM
封装/外壳：
TO-220-3 整包
描述：
MOSFET N-CH 250V 51A TO-220FM

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更多RCX510N25供应商更新时间2021-9-14 10:50:00

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