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RCX510N25

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID= 51A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 250V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 65mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control

文件:318.29 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

RCX510N25

SILICON N-CHANNEL MOS FET

文件:140.39 Kbytes 页数:4 Pages

ROHM

罗姆

RCX510N25

MOSFET N-CH 250V 51A TO-220FM

ROHM

罗姆

RCX510N25

Package:TO-220-3 整包;包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 描述:MOSFET N-CH 250V 51A TO-220FM

Rohm Semiconductor

Rohm Semiconductor

产品属性

  • 产品编号:

    RCX510N25

  • 制造商:

    Rohm Semiconductor

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单个

  • 包装:

    卷带(TR)

  • FET 类型:

    N 通道

  • 技术:

    MOSFET(金属氧化物)

  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):

    51A(Ta)

  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):

    10V

  • Vgs(最大值):

    ±30V

  • 功率耗散(最大值):

    40W(Tc)

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 供应商器件封装:

    TO-220FM

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 描述:

    MOSFET N-CH 250V 51A TO-220FM

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多RCX510N25供应商 更新时间2021-9-14 10:50:00