RCJ200N20数据手册ROHM中文资料规格书
RCJ200N20规格书详情
描述 Description
电界効果晶体管的MOSFET。提供通过采用细微流程的「超低阻值的设备」而在广泛领域得以应用的功率MOSFET,并且结合用途,以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。
特性 Features
•10V驱动型 Nch 功率MOSFET
技术参数
- 制造商编号
:RCJ200N20
- 生产厂家
:ROHM
- 封装
:LPTS (D2PAK)
- 包装数量
:1000
- 最小独立包装数量
:1000
- 包装形态
:Taping
- RoHS
:Yes
- Package Code
:TO-263 (D2PAK)
- JEITA Package
:SC-83
- Number of terminal
:3
- Polarity
:Nch
- Drain-Source Voltage VDSS[V]
:200
- Drain Current ID[A]
:20
- RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)
:0.1
- RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)
:0.1
- Total gate charge Qg[nC]
:40
- Power Dissipation (PD)[W]
:40
- Drive Voltage[V]
:10
- Mounting Style
:Surface mount
- Storage Temperature (Min.)[°C]
:-55
- Storage Temperature (Max.)[°C]
:150
- Package Size [mm]
:10.1x13.1 (t=4.7)
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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