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LowsidePowerSwitchLamp,Solenoid,andMotor-DrivingApplications

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SANYOSanyo Semicon Device

三洋三洋电机株式会社

SANYO

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BipolarTransistorsSiliconNPNEpitaxialType

Applications •PowerAmplifiers •PowerSwitching Features (1)HighDCcurrentgain:hFE=180to450(IC=0.5A) (2)Lowcollectorsaturationvoltage:VCE(sat)=0.5V(max)(IC=1A) (3)High-speedswitching:tstg=400ns(typ.)(IC=1A)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA

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