Intel StrataFlash Embedded Memory

Introduction This document provides information about the Intel StrataFlash® Embedded Memory (P30) device and describes its features, operation, and specifications. Product Features ■ High performance — 85/88 ns initial access — 40 MHz with zero wait states, 20 ns clock-to data output

文件：1.60991 Mbytes 页数：102 Pages

Intel

英特尔

Numonyx StrataFlash Embedded Memory

文件：1.39934 Mbytes 页数：99 Pages

NUMONYX

Micron Parallel NOR Flash Embedded Memory (P30-65nm)

文件：1.36605 Mbytes 页数：98 Pages

Micron

美光

Micron Parallel NOR Flash Embedded Memory (P30-65nm)

文件：1.36605 Mbytes 页数：98 Pages

Micron

美光

256Mb and 512Mb (256Mb/256Mb), P30-65nm

文件：1.35186 Mbytes 页数：95 Pages

Micron

美光

Parallel NOR Flash

Micron

美光

Micron Parallel NOR Flash Embedded Memory (P30-65nm)

Micron

美光

MLC 512M X16 TBGA

Micron

美光

Package：64-TBGA；包装：卷带（TR） 类别：集成电路（IC） 存储器 描述：IC FLASH 512MBIT PAR 64EASYBGA

Micron Technology Inc.

Package：64-TBGA；包装：卷带（TR） 类别：集成电路（IC） 存储器 描述：IC FLASH 512MBIT PAR 64EASYBGA

Micron Technology Inc.