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RC28F800C3BD70	文件：1.12721 Mbytes Page：68 Pages	Advanced Boot Block Flash Memory (C3) The 0.25 µm 3 Volt Advanced+ Boot Block, manufactured on Intel’s latest 0.25 µ technology, represents a feature-rich solution at overall lower system cost. Smart 3 flash memory devices incorporate low voltage capability (2.7 V read, program and erase) with high-speed, low-power operation. Flexible 文件：1.12721 Mbytes 页数：68 Pages	Intel 英特尔	Intel
TE28F800C3BD70	文件：1.12721 Mbytes Page：68 Pages	Advanced Boot Block Flash Memory (C3) The 0.25 µm 3 Volt Advanced+ Boot Block, manufactured on Intel’s latest 0.25 µ technology, represents a feature-rich solution at overall lower system cost. Smart 3 flash memory devices incorporate low voltage capability (2.7 V read, program and erase) with high-speed, low-power operation. Flexible 文件：1.12721 Mbytes 页数：68 Pages	Intel 英特尔	Intel
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详细参数

型号：
RC28F800C3BD70
功能描述：
IC FLASH 8MBIT 70NS 64BGA
RoHS：
否
类别：
集成电路(IC) >> 存储器
系列：
-
标准包装：
576
系列：
- 格式 -
存储器：
闪存
存储器类型：
闪存 - NAND
存储容量：
512M（64M x 8）
速度：
-
接口：
并联
电源电压：
2.7 V ~ 3.6 V
工作温度：
-40°C ~ 85°C
封装/外壳：
48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
供应商设备封装：
48-TSOP
包装：
托盘
其它名称：
497-5040

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