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RFLA1010	文件：1.17913 Mbytes Page：12 Pages	STEPGAIN,LOWNOISE,HIGH-LINEARITYAMPLIFIER1920MHZTO1980MHZ	RFMDRF Micro Devices 威讯联合威讯联合半导体(德州)有限公司	RFMD
RFLA1010SQ	文件：1.17913 Mbytes Page：12 Pages	STEPGAIN,LOWNOISE,HIGH-LINEARITYAMPLIFIER1920MHZTO1980MHZ	RFMDRF Micro Devices 威讯联合威讯联合半导体(德州)有限公司	RFMD
RFLA1010SR	文件：1.17913 Mbytes Page：12 Pages	STEPGAIN,LOWNOISE,HIGH-LINEARITYAMPLIFIER1920MHZTO1980MHZ	RFMDRF Micro Devices 威讯联合威讯联合半导体(德州)有限公司	RFMD
RFX1010	文件：742.29 Kbytes Page：7 Pages	700/800/900MHZ0.5WATTBROADBANDCMOSRFEIC	SKYWORKSSkyworks Solutions Inc. 思佳讯美国思佳讯公司	SKYWORKS
RKBPC1010	文件：56.89 Kbytes Page：4 Pages	10,15,25,35AFASTRECOVERYBRIDGERECTIFIER Features ●DiffusedJunction ●LowReverseLeakageCurrent ●FastSwitching,HighEfficiency ●ElectricallyIsolatedEpoxyCasefor MaximumHeatDissipation ●CasetoTerminalIsolationVoltage2500V	WTEWon-Top Electronics 毅星電子毅星电子股份有限公司	WTE
RKBPC1010	文件：72.67 Kbytes Page：5 Pages	10,15,25,35AFASTRECOVERYSINGLE-PHASEBRIDGERECTIFIER	WTEWon-Top Electronics 毅星電子毅星电子股份有限公司	WTE
RKBPC1010W	文件：56.89 Kbytes Page：4 Pages	10,15,25,35AFASTRECOVERYBRIDGERECTIFIER Features ●DiffusedJunction ●LowReverseLeakageCurrent ●FastSwitching,HighEfficiency ●ElectricallyIsolatedEpoxyCasefor MaximumHeatDissipation ●CasetoTerminalIsolationVoltage2500V	WTEWon-Top Electronics 毅星電子毅星电子股份有限公司	WTE
RKBPC1010W	文件：72.67 Kbytes Page：5 Pages	10,15,25,35AFASTRECOVERYSINGLE-PHASEBRIDGERECTIFIER	WTEWon-Top Electronics 毅星電子毅星电子股份有限公司	WTE
RN1010	文件：155.78 Kbytes Page：4 Pages	TOSHIBATransistorSiliconNPNEpitaxialType(PCTProcess) Switching,InverterCircuit,InterfaceCircuit AndDriverCircuitApplications •Withbuilt-inbiasresistors •Simplifycircuitdesign •Reduceaquantityofpartsandmanufacturingprocess •ComplementarytoRN2010~RN2011	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
RP1010ZZ-XXXXWN-YY	文件：119.63 Kbytes Page：2 Pages	WraparoundChipResistor RP1010ZZ-XXXXWN-YYFeatures: •WraparoundTerminalConfiguration •CustomerDefinedTestingAvailable •RoHSCompliantorSnPbAvailable •TapeandReelandWafflePack Available(Standardisbulk) RP1010ZZ-XXXXWN-YYParameters: ResistanceRange(Al2O3andBeO):0.5Ω-1MΩ ResistanceRan	BARRY Vishay Barry	BARRY

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详细参数

型号：
RBV1010D
制造商：
EIC
制造商全称：
EIC discrete Semiconductors
功能描述：
SILICON BRIDGE RECTIFIERS

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市永贝尔科技有限公司	RBV1010D	EIC	23+	NA	39960	只做进口原装,终端工厂免费送样	询价
深圳市荣泽信电子科技有限公司	RBV10A	PANJIT	23+	扁桥	80000	主营桥堆系列,真实库存	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	RBV10M	SANKEN	23+		11200	原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO	询价
深圳市米特尔科技有限公司	RBV125-5	JST/日压	22+	连接器	489280	代理-优势-原装-正品-现货*期货	询价
深圳市海天鸿电子科技有限公司	RBV1306	SANKEN	1701+	?	6500	只做原装进口,假一罚十	询价
深圳市华斯顿科技有限公司	RBV1306	SANKEN	25+23+	New	34904	绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货	询价
深圳市源泽芯电子有限公司	RBV-1306	SANKEN	19+	DIP	1000	进口原装现货假一赔万力挺实单	询价
深圳市晨豪科技有限公司	RBV-1306	SANKEN	23+	DIP	89630	当天发货全新原装现货	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	RBV-1306	SANKEN	23+	ZIP-4	44	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市明嘉莱科技有限公司	RBV-1306	SANKEN	25+	DIP	880000	明嘉莱只做原装正品现货	询价

更多RBV1010D供应商更新时间2025-7-24 9:04:00

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