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RBQ3RSM10B数据手册分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF

厂商型号 |
RBQ3RSM10B |
参数属性 | RBQ3RSM10B 封装/外壳为TO-277,3-PowerDFN;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:100V, 3A, TO-277GE, LOW VF SBD: |
功能描述 | 100V ,3A, TO-277GE, 低IRSBD |
封装外壳 | TO-277,3-PowerDFN |
制造商 | ROHM Rohm |
中文名称 | 罗姆 罗姆半导体集团 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-17 21:14:00 |
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RBQ3RSM10B规格书详情
描述 Description
RBQ3RSM10B是一款低IR的肖特基势垒二极管。非常适用于常规整流应用。
特性 Features
• High reliability
• Power mold type
• Low IR
技术参数
- 制造商编号
:RBQ3RSM10B
- 生产厂家
:ROHM
- 封装
:TO-277GE
- 包装数量
:4000
- 最小独立包装数量
:4000
- 包装形态
:Taping
- RoHS
:Yes
- Configuration
:Single
- Package Code
:TO-277A
- Mounting Style
:Surface mount
- Number of terminal
:3
- VRM[V]
:100
- Reverse Voltage VR[V]
:100
- Average Rectified Forward Current IO[A]
:3
- IFSM[A]
:100
- Forward Voltage VF(Max.)[V]
:0.7
- IF @ Forward Voltage [A]
:3
- Reverse Current IR(Max.)[mA]
:0.08
- VR @ Reverse Current[V]
:100
- Storage Temperature (Min.)[°C]
:-55
- Storage Temperature (Max.)[°C]
:150
- Package Size [mm]
:4.6x6.5 (t=1.2)
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
MURATA/村田 |
2023+ |
SMD |
6895 |
原厂全新正品旗舰店优势现货 |
询价 | ||
MURATA/村田 |
2407+ |
7750 |
原装现货!实单直说!特价! |
询价 | |||
MURATA/村田 |
1923+ |
NA |
1550 |
原盒原包装现货原装假一罚十价优 |
询价 | ||
MURATA/村田 |
21+ |
原厂封装 |
1574 |
询价 | |||
MURATA/村田 |
2318+ |
原厂原包 |
6850 |
十年专业专注 优势渠道商正品保证 |
询价 | ||
MURATA/村田 |
23+ |
DIP-5P |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
询价 | ||
24+ |
N/A |
51000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
MURATA/村田 |
21+ |
DIP |
8000 |
全新原装 公司现货 价格优 |
询价 | ||
MURATA |
DIP-5 |
35560 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
询价 | |||
ROHM Semiconductor |
2322 |
100 |
Rohm授权代理,自营现货 |
询价 |