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RBLQ20BM10FH数据手册ROHM中文资料规格书

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厂商型号

RBLQ20BM10FH

功能描述

沟槽MOS势垒结构, 100V 20A, TO-252, 车载用 高效率功率SBD

制造商

ROHM Rohm

中文名称

罗姆 罗姆半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-8-14 14:01:00

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RBLQ20BM10FH规格书详情

描述 Description

RBLQ20BM10FH是彻底改善了低VF与低IR之间平衡关系的高效率肖特基势垒二极管。在保持低VF的同时,实现了高温动作时的稳定动作。较适合开关电源、续流二极管、反接保护用途。

特性 Features

• High reliability
• Power mold type
• Low VF and low IR

技术参数

  • 制造商编号

    :RBLQ20BM10FH

  • 生产厂家

    :ROHM

  • 封装

    :TO-252

  • 包装数量

    :2500

  • 最小独立包装数量

    :2500

  • 包装形态

    :Taping

  • RoHS

    :Yes

  • Configuration

    :Single

  • Package Code

    :TO-252 (DPAK)

  • Package(JEITA)

    :SC-63

  • Mounting Style

    :Surface mount

  • Number of terminal

    :3

  • VRM[V]

    :100

  • Reverse Voltage VR[V]

    :100

  • Average Rectified Forward Current IO[A]

    :20

  • IFSM[A]

    :150

  • Forward Voltage VF(Max.)[V]

    :0.86

  • IF @ Forward Voltage [A]

    :20

  • Reverse Current IR(Max.)[mA]

    :0.08

  • VR @ Reverse Current[V]

    :100

  • Storage Temperature (Min.)[°C]

    :-55

  • Storage Temperature (Max.)[°C]

    :150

  • Package Size [mm]

    :6.6x10 (t=2.3)

  • Common Standard

    :AEC-Q101 (Automotive Grade)

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