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RBLQ10RSM10TF中文资料沟槽MOS势垒结构, 100V 10A, TO-277A, 车载用 高效率功率SBD数据手册ROHM规格书
RBLQ10RSM10TF规格书详情
描述 Description
RBLQ10RSM10TF是彻底改善了低VF与低IR之间矛盾关系的高效率肖特基势垒二极管。在保持低VF的同时，实现了高温动作时的稳定动作。较适合开关电源、续流二极管、反接保护用途。采用无线结构的TO-277封装，是实现了小型化的薄型封装。
特性 Features
• High reliability
• Power mold type
• Low VF and low IR
技术参数
- 制造商编号
：RBLQ10RSM10TF
- 生产厂家
：ROHM
- 封装
：TO-277GE
- 包装数量
：4000
- 最小独立包装数量
：4000
- 包装形态
：Taping
- RoHS
：Yes
- Configuration
：Single
- Package Code
：TO-277A
- Mounting Style
：Surface mount
- Number of terminal
：3
- VRM[V]
：100
- Reverse Voltage VR[V]
：100
- Average Rectified Forward Current IO[A]
：10
- IFSM[A]
：200
- Forward Voltage VF(Max.)[V]
：0.67
- IF @ Forward Voltage [A]
：10
- Reverse Current IR(Max.)[mA]
：0.08
- VR @ Reverse Current[V]
：100
- Storage Temperature (Min.)[°C]
：-55
- Storage Temperature (Max.)[°C]
：150
- Package Size [mm]
：4.6x6.5 (t=1.2)
- Common Standard
：AEC-Q101 (Automotive Grade)
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