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SILICONNPNEPITAXIALTYPE(PCTPROCESS) PRIMARILYINTENDEDFORUSEINDRIVERSTAGEOFAUDIOAMPLIFIERS. FEATURES : .HighVqeO HighhpE LowNoise 65V(TBC546) 45V(TBC547) 30V(TBC548) 110-800 | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝 | TOSHIBA | ||
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