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RB521ES-30中文资料RASMID™系列 - 肖特基势垒二极管数据手册ROHM规格书

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厂商型号

RB521ES-30

参数属性

RB521ES-30 封装/外壳为2-SMD,无引线;包装为管件;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE SCHOTTKY 30V 100MA 0603

功能描述

RASMID™系列 - 肖特基势垒二极管
DIODE SCHOTTKY 30V 100MA 0603

封装外壳

2-SMD,无引线

制造商

ROHM Rohm

中文名称

罗姆 罗姆半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-9-25 23:01:00

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RB521ES-30规格书详情

描述 Description

为支持现有客户而生产的产品。不对新设计出售此产品。

特性 Features

• Small silicon package (SMD0603)
• High Accuracy Manufacturing Dimension tolerance ±10μm
• Low VF

简介

RB521ES-30属于分立半导体产品的二极管-整流器-单。由制造生产的RB521ES-30二极管 - 整流器 - 单单整流器二极管系列产品可用于让电流仅沿一个方向流动,并且每个器件封装都恰好实现该功能的一个实例。其他用途的二极管(包括齐纳二极管和可变电容二极管)单独列在各自的产品系列中,每个器件封装中包含多个二极管的产品也是如此。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :RB521ES-30

  • 生产厂家

    :ROHM

  • Status

    :新设计非推荐

  • 封装

    :SMD0603

  • 包装数量

    :15000

  • 最小独立包装数量

    :15000

  • 包装形态

    :Taping

  • RoHS

    :Yes

  • Grade

    :Standard

  • Package Code

    :SOD-962 (DSN0603-2)

  • Package Size[mm]

    :0.6x0.3 (t=0.28)

  • Mounting Style

    :Surface mount

  • Number of terminal

    :2

  • VRM[V]

    :30

  • Reverse Voltage VR[V]

    :30

  • Average Rectified Forward Current IO[A]

    :0.1

  • IFSM[A]

    :0.5

  • Forward Voltage VF(Max.)[V]

    :0.37

  • IF @ Forward Voltage [A]

    :0.01

  • Reverse Current IR(Max.)[mA]

    :0.007

  • VR @ Reverse Current[V]

    :10

  • Storage Temperature (Min.)[°C]

    :-40

  • Storage Temperature (Max.)[°C]

    :150

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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