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RB088BM200数据手册分立半导体产品的二极管-整流器-阵列规格书PDF

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厂商型号

RB088BM200

参数属性

RB088BM200 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-阵列;产品描述:200V, 10A SUPER LOW IR TYPE SCHO

功能描述

200V, 10A, 超低IR 肖特基势垒二极管

封装外壳

TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

制造商

ROHM Rohm

中文名称

罗姆 罗姆半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-8-7 13:01:00

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RB088BM200规格书详情

描述 Description

RB088BM200是利用其超低IR特性,实现了高达200V的耐压、用于开关电源的肖特基势垒二极管。与一般FRD产品相比,VF特性可降低约11%,有助于应用的低功耗化。



关于RBxx8系列

在高温环境下使用的车载和电源设备的电路,希望将以往的整流二极管和FRD替换为效率性能更优异的SBD。然而另一方面,SBD存在的问题是随着工作环境温度上升,IR特性会恶化,容易引发热失控。RBxx8系列采用非常适用于高温环境的阻挡金属,大大改善了IR特性,成功打造了在车载和工业设备等高温环境下也可安全使用、无需担心热失控的SBD系列产品。

特性 Features

• High reliability
• Power mold type
• Cathode common dual type
• Super Low IR

技术参数

  • 制造商编号

    :RB088BM200

  • 生产厂家

    :ROHM

  • 封装

    :TO-252

  • 包装数量

    :2500

  • 最小独立包装数量

    :2500

  • 包装形态

    :Taping

  • RoHS

    :Yes

  • Configuration

    :C-Common

  • Package Code

    :TO-252 (DPAK)

  • Package(JEITA)

    :SC-63

  • Mounting Style

    :Surface mount

  • Number of terminal

    :3

  • VRM[V]

    :200

  • Reverse Voltage VR[V]

    :200

  • Average Rectified Forward Current IO[A]

    :10

  • IFSM[A]

    :100

  • Forward Voltage VF(Max.)[V]

    :0.88

  • IF @ Forward Voltage [A]

    :5

  • Reverse Current IR(Max.)[mA]

    :0.007

  • VR @ Reverse Current[V]

    :200

  • Storage Temperature (Min.)[°C]

    :-55

  • Storage Temperature (Max.)[°C]

    :150

  • Package Size [mm]

    :6.6x10 (t=2.3)

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