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RFM10P15	文件：242.88 Kbytes Page：4 Pages	P-CHANNELENHANCEMENT-MODEPOWERFIELD-EFFECTTRANSISTORS P-ChannelEnhancement-ModePowerField-EffectTransistors Features: ■SOAispower-dissipationlimited ■Nanosecondeswitchingspeeds ■Lineartransfercharacteristics ■Highinputimpedance ■Majoritycarrierdevice	GESS GE Solid State	GESS
RFP10P15	文件：242.88 Kbytes Page：4 Pages	P-CHANNELENHANCEMENT-MODEPOWERFIELD-EFFECTTRANSISTORS P-ChannelEnhancement-ModePowerField-EffectTransistors Features: ■SOAispower-dissipationlimited ■Nanosecondeswitchingspeeds ■Lineartransfercharacteristics ■Highinputimpedance ■Majoritycarrierdevice	GESS GE Solid State	GESS
RFP10P15	文件：305.11 Kbytes Page：5 Pages	-10A,-150V,0.500Ohm,P-ChannelPowerMOSFET ThisP-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorisdesignedforapplicationssuchasswitchingregulators,switchingconvertors,motordrivers,relaydrivers,anddriversforhighpowerbipolarswitchingtransistorsrequiringhighspeedandlowgatedrivepower.Thesety	Intersil Intersil Corporation	Intersil
V10P15	文件：101.62 Kbytes Page：5 Pages	HighCurrentDensitySurfaceMountTMBS짰(TrenchMOSBarrierSchottky)Rectifier FEATURES •Verylowprofile-typicalheightof1.1mm •Idealforautomatedplacement •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof260°C •AEC-Q101qualifiedavailable -	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
V10P15	文件：100.98 Kbytes Page：5 Pages	HighCurrentDensitySurfaceMountTMBS짰(TrenchMOSBarrierSchottky)Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VS10P15	文件：750.7 Kbytes Page：7 Pages	Highpoweredmulti-lineVSIP짰tvsarray	PROTEC Protek Devices	PROTEC
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VS10P15C	文件：752.52 Kbytes Page：7 Pages	HIGHPOWEREDMULTI-LINEVSIP짰TVSARRAY	PROTEC Protek Devices	PROTEC
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详细参数

型号：
RAS10P15-J
制造商：
Panasonic Industrial Company
功能描述：
SPEAKER

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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