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RA20H8087M

RoHSCompliance,806-870MHz20W12.5V,3StageAmp.ForMOBILERADIO

MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor

三菱电机三菱电机株式会社

RA20H8087M

806-825/851-870MHz20W12.5V,3StageAmp.ForMOBILERADIO

DESCRIPTION TheRA20H8087Misa20-wattRFMOSFETAmplifierModulefor12.5-voltmobileradiosthatoperateinthe806-to870-MHzrange. Thebatterycanbeconnecteddirectlytothedrainoftheenhancement-modeMOSFETtransistors.Withoutthegatevoltage(VGG=0V),onlyasmallleakagecurrent

MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor

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806-870MHz20W12.5V,3StageAmp.ForMOBILERADIO

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RoHSCompliance,806-870MHz20W12.5V,3StageAmp.ForMOBILERADIO

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