R6035ENZ分立半导体产品晶体管-FETMOSFET-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
R6035ENZ |
| 参数属性 | R6035ENZ 封装/外壳为TO-247-3；包装为管件；类别为分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单个；产品描述：MOSFET N-CH 600V 35A TO247 |
| 功能描述 | Nch 600V 35A Power MOSFET |
| 文件大小 |
982.65 Kbytes |
| 页面数量 |
13 页 |
| 生产厂商 | Rohm Semiconductor |
| 企业简称 |
ROHM【罗姆】 |
| 中文名称 | 罗姆半导体集团官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-6-14 20:00:00 |
R6035ENZ规格书详情
R6035ENZ属于分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单个。罗姆半导体集团制造生产的R6035ENZ晶体管 - FET，MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。
产品属性
- 产品编号：
R6035ENZ4C13
- 制造商：
Rohm Semiconductor
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 包装：
管件
- FET 类型：
N 通道
- 技术：
MOSFET（金属氧化物）
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
35A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
10V，15V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
102mOhm @ 35A，15V
- 功率耗散（最大值）：
379W（Tc）
- 安装类型：
通孔
- 供应商器件封装：
TO-247
- 封装/外壳：
TO-247-3
- 描述：
MOSFET N-CH 600V 35A TO247
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ROHM/罗姆 |
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