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R6010ANX中文资料10V Drive Nch MOSFET数据手册ROHM规格书

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厂商型号

R6010ANX

参数属性

R6010ANX 封装/外壳为TO-220-3 整包;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个;产品描述:MOSFET N-CH 600V 10A TO220FM

功能描述

10V Drive Nch MOSFET
MOSFET N-CH 600V 10A TO220FM

封装外壳

TO-220-3 整包

制造商

ROHM Rohm

中文名称

罗姆 罗姆半导体集团

数据手册

原厂下载下载地址下载地址二

更新时间

2025-9-24 11:26:00

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R6010ANX规格书详情

特性 Features

•10V驱动型 Nch 功率MOSFET

简介

R6010ANX属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个。由制造生产的R6010ANX晶体管 - FET,MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :R6010ANX

  • 生产厂家

    :ROHM

  • Status

    :新设计非推荐

  • 封装

    :TO-220FM

  • 包装数量

    :500

  • 最小独立包装数量

    :500

  • 包装形态

    :Bulk

  • RoHS

    :Yes

  • Grade

    :Standard

  • Package Code

    :TO-220FM

  • Package Size[mm]

    :15.1x10.1 (t=4.6)

  • Number of terminal

    :3

  • Polarity

    :Nch

  • Drain-Source Voltage VDSS[V]

    :600

  • Drain Current ID[A]

    :10.0

  • RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)

    :0.43

  • RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)

    :0.43

  • Total gate charge Qg[nC]

    :25.0

  • Power Dissipation (PD)[W]

    :50.0

  • Drive Voltage[V]

    :10.0

  • Mounting Style

    :Leaded type

  • Storage Temperature (Min.)[°C]

    :-55

  • Storage Temperature (Max.)[°C]

    :150

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