R6010ANX分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
R6010ANX |
| 参数属性 | R6010ANX 封装/外壳为TO-220-3 整包；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个；产品描述：MOSFET N-CH 600V 10A TO220FM |
| 功能描述 | 10V Drive Nch MOSFET |
| 封装外壳 | TO-220-3 整包 |
| 文件大小 |
1.20269 Mbytes |
| 页面数量 |
7 页 |
| 生产厂商 | Rohm |
| 企业简称 |
ROHM【罗姆】 |
| 中文名称 | 罗姆半导体集团官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-1 17:02:00 |
| 人工找货 | R6010ANX价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
R6010ANX规格书详情
特性 Features
1) Low on-resistance.
2) Fast switching speed.
3) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be ±30V.
4) Drive circuits can be simple.
5) Parallel use is easy.
Application
Switching
Structure
Silicon N-channel MOSFET
产品属性
- 产品编号：
R6010ANX
- 制造商：
Rohm Semiconductor
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- FET 类型：
N 通道
- 技术：
MOSFET（金属氧化物）
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
10A（Ta）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
10V
- Vgs（最大值）：
±30V
- 功率耗散（最大值）：
50W（Tc）
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 供应商器件封装：
TO-220FM
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 描述：
MOSFET N-CH 600V 10A TO220FM
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ROHM Semiconductor |
23+ |
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ROHM |
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Rohm Semiconductor |
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Rohm Semiconductor |
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ROHM/罗姆 |
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TO-220F |
100500 |
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ROHM/罗姆 |
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TO-220F |
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