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R533N410050P0K中文资料安规电容数据手册Kemet规格书
| 厂商型号 |
R533N410050P0K |
| 参数属性 | R533N410050P0K 封装/外壳为径向；包装为散装；类别为电容器的薄膜电容器；R533N410050P0K应用范围：汽车级；EMI，RFI 抑制；产品描述：CAP FILM 1UF 10% 630VDC RADIAL |
| 功能描述 | 安规电容 |
| 封装外壳 | 径向 |
| 制造商 | Kemet KEMET Corporation |
| 中文名称 | 基美 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-21 22:59:00 |
| 人工找货 | R533N410050P0K价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
R533N410050P0K规格书详情
简介
R533N410050P0K属于电容器的薄膜电容器。由制造生产的R533N410050P0K薄膜电容器薄膜电容器是用于存储电荷的双片式器件。这些器件由沉积在基底上并由电介质分隔的薄膜层组成。电容值范围为 0.05 pF 至 500 mF，电压为 2.5 V 至 100 V，封装尺寸为 0201 至 1210，容差为 ±0.01 pF 至 ±5％。
技术参数
更多- 制造商编号
：R533N410050P0K
- 生产厂家
：Kemet
- 精度
：±10%
- 电压(AC)
：310V
- 等级
：X2
- 工作温度
：-40℃~+110℃
