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Marking：R5；Package：Pw-Mini；Bipolar Small-Signal Transistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝 | TOSHIBA | ||
Marking：R5；Package：UFM；Bipolar Small-Signal Transistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝 | TOSHIBA | ||
Marking：R5；Package：SC-74；40 V PNP BISS loadswitch Features *LowVCEsat(BISS)andresistor-equippedtransistorinonepackage *Lowthresholdvoltage( | NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司 | NEXPERIA | ||
Marking：R5；Package：TSSOP5；45 V, 100 mA PNP/PNP matched double transistor 1.Generaldescription PNP/PNPmatcheddoubletransistorinaverysmallSOT353(SC-88A)Surface-MountedDevice (SMD)plasticpackage. PNP/PNPhFE1/hFE20.95complement:PMP5501G NPN/NPNcomplement:PMP4201G 2.Featuresandbenefits •Currentgainmatching •Base-emittervoltagematching | NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司 | NEXPERIA | ||
Marking：R5；Package：SOT416；N-channel TrenchMOS ultra low level FET 1.1Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inultrasmall Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOStechnology. 1.2Featuresandbenefits Surfacemountedpackage Lowon-stateresistance Footprint63smallerthanSOT23 Lowthre | NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司 | NEXPERIA | ||
Marking：R5；Package：DFN1006BD-2；Zener voltage regulator diodes 1.Generaldescription General-purposeZenerdiodesinanultrasmallSOD882BD(DFN1006BD-2)leadlessSurface MountedDevice(SMD)plasticpackagewithside-wettableflanks. 2.Featuresandbenefits •Leadlessultrasmallplasticpackagewithside-wettableflankssuitableforsurface-mounted | NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司 | NEXPERIA | ||
Marking：R5；Package：X2SON；TLV774 300mA, Small-Size, High-PSRR, Low-Dropout Regulator With Enable 1Features •HighPSRR:60dB(1kHz),45dB(1MHz) •VINrange:1.4Vto5.5V •Fixedoutputvoltagerange:0.6Vto3.3V •Outputvoltageaccuracy:2% •Lowdropoutvoltage: –310mVmaxat300mA(1.2VOUT)over temperature •Foldbackcurrentlimit •Activeoutputpulldownresistor •Pack | TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司 | TI1 | ||
Marking：R5；Package：SOD-523；Zener Diode | FS First Silicon Co., Ltd | FS | ||
Marking：r5；Package：SOT-23-5；300mA Low Noise High PSRR LDO with Shutdown | FITIPOWERFitipower Integrated Technology Inc. 天鈺科技天鈺科技股份有限公司 | FITIPOWER | ||
Marking：R54；NPN SILICON RF TRANSISTOR NPNSILICONRFTRANSISTORFOR MEDIUMOUTPUTPOWERAMPLIFICATION(30mW) FLAT-LEAD4-PINTHIN-TYPESUPERMINIMOLD FEATURES •Idealformediumoutputpoweramplification •PO(1dB)=15.0dBmTYP.@VCE=2.8V,f=1.8GHz,Pin=1dBm •HFT3technology(fT=12GHz)adopted •Highreliab | RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司 | RENESAS |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-P+R
- 性质：
开关管 （SW）
- 封装形式：
贴片封装
- 极限工作电压：
- 最大电流允许值：
0.1A
- 最大工作频率：
<1MHZ或未知
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
KSR2101,
- 最大耗散功率：
- 放大倍数：
- 图片代号：
H-15
- vtest：
0
- htest：
999900
- atest：
0.1
- wtest：
0
详细参数
- 型号：
R5
- 制造商：
JST Manufacturing
- 功能描述：
10-12AWG 28mm 15mm
- 功能描述：
Terminal,R5.5-10
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NXP/恩智浦 |
23+ |
1688 |
房间现货库存:QQ:373621633 |
询价 | |||
TC/德昌 |
23+ |
SOT23-5 |
15000 |
全新原装现货,价格优势 |
询价 | ||
RICOH |
22+ |
SOT-89 |
25000 |
只有原装绝对原装,支持BOM配单! |
询价 | ||
RICOH |
22+ |
SOT-89 |
25000 |
只有原装原装,支持BOM配单 |
询价 | ||
ALLWINN |
24+ |
QFN |
30000 |
房间原装现货特价热卖,有单详谈 |
询价 | ||
ALLWINN |
22+ |
QFN |
6000 |
进口原装 假一罚十 现货 |
询价 | ||
ALLWINNER/全志 |
23+ |
BGA |
5000 |
全志全系列在售,终端可出样品 |
询价 | ||
ALLWINNER/全志 |
23+ |
BGA |
2600 |
专业配单,原装正品假一罚十,代理渠道价格优 |
询价 | ||
ALLWINN |
19+ |
QFN |
31050 |
所有报价以当天为准 |
询价 | ||
TT |
20+ |
电位计 |
667 |
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询价 |
