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R46KI3330DQN1M数据手册电容器的薄膜电容器规格书PDF

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厂商型号

R46KI3330DQN1M

参数属性

R46KI3330DQN1M 封装/外壳为径向;包装为散装;类别为电容器的薄膜电容器;R46KI3330DQN1M应用范围:EMI,RFI 抑制;产品描述:CAP FILM 0.33UF 20% 560VDC RAD

功能描述

Film Capacitors
CAP FILM 0.33UF 20% 560VDC RAD

封装外壳

径向

制造商

Kemet KEMET Corporation

中文名称

基美 基美公司

数据手册

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更新时间

2025-8-6 23:00:00

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R46KI3330DQN1M规格书详情

简介

R46KI3330DQN1M属于电容器的薄膜电容器。由制造生产的R46KI3330DQN1M薄膜电容器薄膜电容器是用于存储电荷的双片式器件。这些器件由沉积在基底上并由电介质分隔的薄膜层组成。电容值范围为 0.05 pF 至 500 mF,电压为 2.5 V 至 100 V,封装尺寸为 0201 至 1210,容差为 ±0.01 pF 至 ±5%。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :R46KI3330DQN1M

  • 生产厂家

    :Kemet

  • Capacitance

    :0.33 uF

  • Capacitance Tolerance

    :20%

  • Voltage AC

    :275 VAC (X2)

  • Voltage DC

    :560 VDC

  • Temperature Range

    :-40/+110°C

  • RoHS

    :Yes

  • Qualifications

    :ENEC

  • Height

    :12.5mm

  • Lead Spacing

    :15mm

  • Packaging

    :Ammo

  • Packaging Quantity

    :410

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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