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TGF4230-EEU	文件：178.77 Kbytes Page：7 Pages	1.2mmDiscreteHFET DESCRIPTION TheTriquintTGF4230-EEUisasinglegate1.2mmDiscreteGaAsHeterostructureFieldEffectTransistor(HFET)designedforhigh-efficiencypowerapplicationsupto12-GHzinClassAandClassABoperation. Bond-padandbacksidemetalizationisgoldplatedforcompatibilitywith	TriQuint TriQuint Semiconductor	TriQuint
TGF4230-SCC	文件：221.41 Kbytes Page：9 Pages	DC-12GHzDiscreteHFET Description TheTriQuintTGF4230-SCCisasinglegate1.2mmDiscreteGaAsHeterostructureFieldEffectTransistor(HFET)designedforhigh-efficiencypowerapplicationsupto12GHzinClassAandClassABoperation. Bond-padandbacksidemetalizationisgoldplatedforcompatibilitywithe	TriQuint TriQuint Semiconductor	TriQuint
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TJ4230	文件：211.38 Kbytes Page：9 Pages	3AUltraLowDropoutLinearRegulator	HTCHTC Korea TAEJIN Technology Co. 泰进韩国泰进技术股份有限公司	HTC
TJ4230GDP-ADJ	文件：211.38 Kbytes Page：9 Pages	3AUltraLowDropoutLinearRegulator	HTCHTC Korea TAEJIN Technology Co. 泰进韩国泰进技术股份有限公司	HTC
XBTGT4230	文件：80.87 Kbytes Page：5 Pages	advancedtouchscreenpanel-640x480pixelsVGA-10.4-TFTLCD-24VDC	SCHNEIDERSchneider Electric 施耐德施耐德电气	SCHNEIDER
XF4230	文件：469.04 Kbytes Page：1 Pages	DATASUBJECTTOCHANGEWITHOUTNOTLCE	HAMMONDHammond Manufacturing Company Limited 哈蒙德哈蒙德制造有限公司	HAMMOND

产品属性

产品编号：
R4230F
制造商：
Microchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
散装
二极管类型：
标准型，反极性
电流 - 平均整流 (Io)：
125A
速度：
标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
安装类型：
接线柱安装
封装/外壳：
DO-205AA，DO-8，接线柱
供应商器件封装：
DO-205AA（DO-8）
工作温度 - 结：
-65°C ~ 200°C
描述：
RECTIFIER

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