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R41BN315050T1K数据手册电容器的薄膜电容器规格书PDF

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厂商型号

R41BN315050T1K

参数属性

R41BN315050T1K 封装/外壳为径向;包装为散装;类别为电容器的薄膜电容器;R41BN315050T1K应用范围:汽车级;EMI,RFI 抑制;产品描述:CAP FILM 0.15UF 10% 1.5KVDC RAD

功能描述

安规电容
CAP FILM 0.15UF 10% 1.5KVDC RAD

封装外壳

径向

制造商

Kemet KEMET Corporation

中文名称

基美 基美公司

原厂标识
Kemet
数据手册

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更新时间

2025-8-5 12:00:00

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R41BN315050T1K规格书详情

简介

R41BN315050T1K属于电容器的薄膜电容器。由制造生产的R41BN315050T1K薄膜电容器薄膜电容器是用于存储电荷的双片式器件。这些器件由沉积在基底上并由电介质分隔的薄膜层组成。电容值范围为 0.05 pF 至 500 mF,电压为 2.5 V 至 100 V,封装尺寸为 0201 至 1210,容差为 ±0.01 pF 至 ±5%。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :R41BN315050T1K

  • 生产厂家

    :Kemet

  • 精度

    :±10%

  • 电压(AC)

    :350V

  • 等级

    :X1

  • 工作温度

    :-40℃~+125℃

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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