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R2J20602NP中文资料Integrated Driver - MOS FET (DrMOS)数据手册Renesas规格书

厂商型号 |
R2J20602NP |
参数属性 | R2J20602NP 封装/外壳为56-VFQFN 裸露焊盘;包装为托盘;类别为集成电路(IC)的全半桥驱动器;R2J20602NP应用范围:降压转换器;产品描述:IC MOSFET DRVR 12V 40A 56-QFN |
功能描述 | Integrated Driver - MOS FET (DrMOS) |
封装外壳 | 56-VFQFN 裸露焊盘 |
制造商 | Renesas Renesas Technology Corp |
中文名称 | 瑞萨 瑞萨科技有限公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-9-26 18:50:00 |
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技术参数
- 产品编号:
R2J20602NP#G3
- 制造商:
Renesas Electronics America Inc
- 类别:
集成电路(IC) > 全半桥驱动器
- 包装:
托盘
- 输出配置:
半桥
- 应用:
降压转换器
- 接口:
PWM
- 负载类型:
电感
- 技术:
DrMOS
- 电流 - 峰值输出:
40A
- 电压 - 供电:
7V ~ 7.8V
- 电压 - 负载:
7V ~ 7.8V
- 工作温度:
-40°C ~ 150°C(TJ)
- 特性:
状态标志
- 故障保护:
限流,超温,短路,UVLO
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
56-VFQFN 裸露焊盘
- 供应商器件封装:
56-HVQFN(8x8)
- 描述:
IC MOSFET DRVR 12V 40A 56-QFN
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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