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R2J20602NP中文资料Integrated Driver - MOS FET (DrMOS)数据手册Renesas规格书

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厂商型号

R2J20602NP

参数属性

R2J20602NP 封装/外壳为56-VFQFN 裸露焊盘;包装为托盘;类别为集成电路(IC)的全半桥驱动器;R2J20602NP应用范围:降压转换器;产品描述:IC MOSFET DRVR 12V 40A 56-QFN

功能描述

Integrated Driver - MOS FET (DrMOS)

封装外壳

56-VFQFN 裸露焊盘

制造商

Renesas Renesas Technology Corp

中文名称

瑞萨 瑞萨科技有限公司

数据手册

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更新时间

2025-9-26 18:50:00

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技术参数

  • 产品编号:

    R2J20602NP#G3

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 类别:

    集成电路(IC) > 全半桥驱动器

  • 包装:

    托盘

  • 输出配置:

    半桥

  • 应用:

    降压转换器

  • 接口:

    PWM

  • 负载类型:

    电感

  • 技术:

    DrMOS

  • 电流 - 峰值输出:

    40A

  • 电压 - 供电:

    7V ~ 7.8V

  • 电压 - 负载:

    7V ~ 7.8V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 特性:

    状态标志

  • 故障保护:

    限流,超温,短路,UVLO

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    56-VFQFN 裸露焊盘

  • 供应商器件封装:

    56-HVQFN(8x8)

  • 描述:

    IC MOSFET DRVR 12V 40A 56-QFN

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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