R1RW0408D中文资料4M High Speed SRAM (512-kword x 8-bit)数据手册Renesas规格书

厂商型号 |
R1RW0408D |
参数属性 | R1RW0408D 封装/外壳为36-BSOJ(0.400",10.16mm 宽);包装为托盘;类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ |
功能描述 | 4M High Speed SRAM (512-kword x 8-bit) |
封装外壳 | 36-BSOJ(0.400",10.16mm 宽) |
制造商 | Renesas Renesas Technology Corp |
中文名称 | 瑞萨 瑞萨科技有限公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-9-23 14:07:00 |
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技术参数
- 产品编号:
R1RW0408DGE-2LR#B1
- 制造商:
Renesas Electronics America Inc
- 类别:
集成电路(IC) > 存储器
- 包装:
托盘
- 存储器类型:
易失
- 存储器格式:
SRAM
- 技术:
SRAM
- 存储容量:
4Mb(512K x 8)
- 存储器接口:
并联
- 写周期时间 - 字,页:
12ns
- 电压 - 供电:
3V ~ 3.6V
- 工作温度:
0°C ~ 70°C(TA)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
36-BSOJ(0.400",10.16mm 宽)
- 供应商器件封装:
36-SOJ
- 描述:
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS |
17+ |
soj-44 |
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